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삼성전자 ‘세계 최초’ 3세대 10나노급 ‘D램’ 개발

등록일 2019.03.21 16:29 youtube instagram
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▲ 사진=삼성전자

[개근질닷컴] 삼성전자가 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 3월 21일 밝혔다.

삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한 지 16개월 만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발하며 다시 한번 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다.

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰다.

삼성전자는 2019년 하반기 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산을 앞두고 있다. 2020년에는 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

또한 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극적으로 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환할 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM 개발실 이정배 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 되었다”라며, “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속해서 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 설명했다.

한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다.

특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다.

권성운 기자(kwon.sw@foodnamoo.com)

개근질닷컴 기자 
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기사등록 2019-03-21 16:29:14 
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